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DS: Dünne Schichten

DS 25: Metallische Schichten

DS 25.5: Fachvortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 15:00–15:15, H32

Wachstum amorpher Schichten unter stark veränderten Depositionsbedingungen — •S. G. Mayr^1,2, M. Moske³ und K. Samwer² — ¹Institut für Physik, Universität Augsburg, D–86135 Augsburg — ²I. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, D–37073 Göttingen — ³Stiftung caesar, Friedensplatz 16, D–53111 Bonn

Während amorphes Schichtwachstum, und die dafür relevanten atomaren Prozesse bei senkrechtem Bedampfen bereits gut verstanden sind [1], spielen im allgemeinen bei der amorphen Schichtherstellung eine Vielzahl zusätzlicher Effekte, wie geometrische Abschattung, Energieübertrag bei der Deposition oder Grenzflächeneffekte zum Substrat – im Fall sehr dünner Schichten – eine entscheidende Rolle. Durch gezielte Experimente, wie der Variation der Depositionsrichtung oder der Depositionsenergie ist es möglich, den Einfluß auf die Oberflächenstrukturbildung, insbesondere die Rauhigkeit und laterale Strukturgröße, zu untersuchen. Dazu werden Schichten im Ultrahochvakuum durch Kokondensation oder durch Sputtern hergestellt und insbesondere mit in situ Rastertunnelmikroskopmessung und Röntgenmessungen untersucht. Es wird beobachtet, daß mit zunehmender Abschattungstendenz die Rauhigkeit zunimmt, während erhöhter Energieübertrag bei der Deposition zu glatteren Schichten, die mehr dem Attribut „selbstaffin“ gerecht werden, führt. Diese Auswirkungen auf die mesoskopische Strukturbildung können durch Mechanismen, die auf atomaren Prozessen beruhen, verstanden werden.
Gefördert durch den SFB 438 Augsburg–München, TP A1

[1] S. G. Mayr, M. Moske and K. Samwer, Phys. Rev. B, in production