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DS: Dünne Schichten

DS 27: Optische Schichten II

DS 27.5: Fachvortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:00–18:15, H32

Selbstorganisierte Muster in der ZnS:Mn-Elektrolumineszenz und ihre Abhängigkeit von der Störstellenverteilung in der Halbleiterschicht — •S. Zuccaro², N.A. Vlasenko¹, Z.L. Denisova¹, L.I. Veligura¹, F.-J. Niedernostheide² und H.-G. Purwins² — ¹Institut für Halbleiterphysik, Akademie der Wissenschaften der Ukraine, Prospekt Nauki 45, Kiev-28, 252028 Ukraine — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Münster, Corrensstraße 2/4, 48149 Münster

Wechselspannungsgetriebene, dünne ZnS:Mn-Schichten, die zwischen zwei Isolatorschichten eingebettet sind, werden in Elektrolumineszenz-Displays als Leuchtschicht eingesetzt. Die Treiberfrequenzen liegen dabei meistens im Bereich einiger kHz. Bei wesentlich höheren Treiberfrequenzen ab ca. 100 kHz lassen sich unter geeigneten Bedingungen vielfältige selbstorganisierte Leuchdichtemuster beobachten, deren Verhalten sehr empfindlich von den Betriebsbedingungen und der Störstellenverteilung in der ZnS:Mn-Schicht abhängt. Wir untersuchen die Störstellenverteilungen in verschiedenen Proben mittels Photo-Depolarisations- (PDP-) Spektroskopie und diskutieren ihren Einfluß auf die gemessenen Ladungs-Spannungs-Kennlinien und die experimentell gefundenen Abhängigkeiten der Leuchtdichtemuster von den Treiberparametern. Hieraus wird ein Erklärungsansatz für die Entstehung der selbstorganisierten Strukturen hergeleitet.