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DS: Dünne Schichten

DS 29: Ionenimplantation II

DS 29.2: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 10:30–10:45, H31

Hochdosis Titan Implantation in ionenstrahlsynthetisierte epitaktische Si/SiC/Si Schichtsysteme — •S. Wenzel, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, D-86135 Augsburg

Übergangsmetallsilizide und -karbide sind aussichtsreiche Materialien, mit Hilfe derer sich möglicherweise temperaturstabile Kontaktierungen des Hochtemperaturhalbleiters SiC realisieren lassen. Titan bildet einerseits Disilizide, die wegen ihrer hohen Leitfähigkeit in Silizium-Halbleiterbauelementen verwendet werden, und andererseits ein zu 3C-SiC isomorphes und epitaktisch herstellbares Karbid, TiC. Vorangegangene Arbeiten haben gezeigt, dass Ti Implantationen in Si und SiC unter geeigneten Bedingungen zur Bildung homogener TiSi₂ Schichten bzw. gradueller Ti_xSi_1−xC Schichten führen. In dieser Arbeit werden Hochdosis (10¹⁷ Ti/cm²) Titan Implantationen in epitaktische Si/3C-SiC/Si Schichtsysteme vorgestellt, die durch Ionenstrahlsynthese hergestellt werden. Ziel dieser Implantationen ist es, die Si-Deckschicht in eine epitaktische TiSi₂-Schicht umzuwandeln und damit die vergrabene SiC-Schicht zu kontaktieren. Daher wird die Energie der Ti-Ionen so gewählt, dass das Reichweitemaximum in der Si-Deckschicht liegt. Die resultierende Verteilung von Ti wird mittels RBS Analyse bestimmt, die Bildung von Silizid- und Karbidphasen mittels XRD und cross-section TEM untersucht. Das Verhalten dieser Schichten beim Tempern bei Temperaturen bis zu 1000^∘C wird ebenfalls dargestellt.