Regensburg 2000 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 3: Harte Schichten III (c-BN)
DS 3.5: Fachvortrag
Monday, March 27, 2000, 12:00–12:15, H31
Strukturelle und elektronische Eigenschaften von c-BN:Si — •C. Ronning1, A.D. Banks2, B.L. McCarson2, R. Schlesser2, Z. Sitar2, R.F. Davis2, B.L. Ward2 und R.J. Nemanich2 — 1Universität Göttingen, II. Physikalisches Institut, 37073 Göttingen — 2North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA
Da kubisches Bornitrid (c-BN) erfolgreich mit Silizium n-typ dotiert werden kann und weiterhin Schichten aus c-BN eine negative Elektronenaffinität (NEA) haben können, sind c-BN:Si Schichten besonders interesant für Feldemissionsanwendungen. Der Einbau von Silizium in BN-Schichten (BN:Si) wurde mit Hilfe von ionenunterstütztem Aufdampfen realisiert. Mit steigendem Si-Anteil wurde jedoch eine Änderung vom c-BN hin zum h-BN beobachtet. UPS-, Feldemissions- und FEED-Experimente zeigen, daß der beobachtete Elektronentransport und -emission durch Sprungleitfähigkeit zwischen lokalisierten Zuständen am Ferminiveau für undotierte Schichten sowie in den Bandausläufern des Valenzbandes für c-BN:Si erfolgt. Eine NEA wurde für undotierte c-BN-Schichten beobachtet, während diese Eigenschaft nach der Dotierung mit Silizium durch die Änderung hin zum h-BN verschwindet. Es wurde keine Verschiebung des Ferminiveaus in c-BN:Si-Schichten beobachtet, so daß eine n-typ Dotierung ausgeschlossen werden kann.