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DS: Dünne Schichten

DS 30: Ionenimplantation III

DS 30.2: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:15–11:30, H31

Bildung einkristalliner Al-Schichten in c-plane Saphir — •M. Bronner, W. Schlosser, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, D-86135 Augsburg

In vorangegangenen Arbeiten [1,2] konnte gezeigt werden, daß durch Implantation von 180 keV Al⁺-Ionen in c-plane Saphir bei 500^∘C mit einer Dosis von 7.5 x 10¹⁷ Al/cm² eine einkristalline, vergrabene Al-Schicht synthetisiert werden kann. Durch Röntgenbeugung (XRD), Transmissionselektronenmikroskopie am Querschnitt (XTEM) sowie in Hochauflösung (HREM) konnte gezeigt werden, daß die Bildung der Schicht über die Nukleation zueinander verzwillingter Al-Ausscheidungen erfolgt. Diese wachsen mit zunehmender Dosis zu einer Schicht zusammen, wobei eine Orientierung separiert wird. In dieser Arbeit werden die Mechanismen, die zur Bildung von teilkohärenten und teilweise intern verzwillingten Ausscheidungen sowie zur Separation einer Orientierung führen, analysiert. Hierzu wird der Einfluß der Implantationstemperatur im Bereich 300-500^∘C als auch die Abhängigkeit von der Dosis im Bereich 1.5-12 x 10¹⁷ Al/cm² untersucht. Desweiteren wird die epitaktische Gitteranpassung der Al-Auscheidungen an den Saphir im Detail betrachtet werden. Zur Charakterisierung der Proben werden XRD Messungen, sowie XTEM und HREM verwendet.

[1] W. Schlosser, J.K.N. Lindner, M. Zeitler, B. Stritzker, Nucl. Instr. and Meth. B 147 (1999) 267

[2] J.K.N. Lindner, W. Schlosser, B. Stritzker, zur Veröffentlichung angenommen in Nucl. Instr. and Meth. B (1999)