Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 31: Ionenimplantation IV
DS 31.2: Fachvortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 14:15–14:30, H31
Strahlenschädigung von Chalkopyrit-Halbleiterschichten durch schwere Ionen — •K.-H. Schmid1, W. Bolse1, Th. Hahn2, H. Kerber2, A. Jasenek2 und F. Harbsmeier3 — 1Institut für Strahlenphysik, Universität Stuttgart — 2Institut für Physikalische Elektronik, Universität Stuttgart — 3II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen
Die ternären Verbindungen CuInSe2 (CIS) und CuGaSe2 (CGS) sind Halbleitermaterialien mit Chalkopyrit-Struktur, die als Absorberschichten in Dünnschichtsolarzellen mit hohem Wirkungsgrad eingesetzt werden. Die inhärente Stabilität gegenüber Teilchenstrahlung macht CIGS besonders für Raumfahrtanwendungen interessant.
Mittels Röntgenbeugung und Rasterelektronenmikroskopie wurden polykristalline CuInSe2- bzw. CuGaSe2-Schichten von 1000 Å Dicke auf oxidiertem Si-Substrat untersucht, die mit 900 keV Xe-Ionen mit Fluenzen zwischen 1012 cm−2 und 3·1016 cm−2 bei 77 K bestrahlt wurden.
In diesem Beitrag werden die Veränderungen der Kristallstruktur und der Kristallitgröße durch die vom Ion deponierte Energie in Abhängigkeit von der Bestrahlungsfluenz diskutiert. Es wird gezeigt, daß die Kristallinität (d.h. Schärfe und Intensität der Röntgen-Reflexe) mit zunehmender Fluenz abnimmt, jedoch im Bereich von 1015 cm−2 wieder steigt.