Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 32: Ionenimplantation V

DS 32.5: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 16:45–17:00, H31

Optische Eigenschaften von ionenimplantiertem SiC: Anwendung von Effektiv-Medien-Modellen — •E. Wendler und G. Peiter — Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut fur Festkörperphysik

6H-SiC wurde bei Raumtemperatur mit B⁺-Ionen implantiert. Durch Wahl eines geeigneten Energie-Dosis-Programms entstanden weitgehend homogen geschädigte Schichten von 0.43/mum Dicke. Die optische Transmission und Reflexion im Frequenzbereich von 0.5 eV bis 3.2 eV wurde auf der Basis eines Vielschichtmodells analysiert. Es wird gezeigt, dass Effektiv-Medien-Ansätze eingesetzt werden können und die implantierten Schichten als eine Mischung aus kristallinem und schwach geschädigtem bzw. aus schwach geschädigtem und amorphem SiC beschreibbar sind. Die Dosisabhängigkeit der amorphen Volumenanteile kann dann zur Untersuchung des Amorphisierungsmechanismus angwendet werden.