DS 32: Ionenimplantation V
Donnerstag, 30. März 2000, 15:45–17:30, H31
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15:45 |
DS 32.1 |
Fachvortrag:
Ionenstrahlinduzierte Festkörperreaktion in Si/C Multischichten — •F. Harbsmeier, W. Bolse und A.M. Flank
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16:00 |
DS 32.2 |
Fachvortrag:
Diffusion Effects and Conductivity of Ge and Pb Implanted TiO2 Single Crystals — •R. Fromknecht, T. Wiss, I. Khubeis, and O. Meyer
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16:15 |
DS 32.3 |
Fachvortrag:
He-Ion Damage and He-Release from Spinel MgAl2O4 — •R. Fromknecht, J.-P. Hiernaut, Hj. Matzke, and T. Wiss
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16:30 |
DS 32.4 |
Fachvortrag:
Optische Eigenschaften ionenimplantierter, nanokristalliner Si-Mikrostrukturen — •Johannes Heitmann, Jeff McCallum, Jan Meijer und Tilman Butz
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16:45 |
DS 32.5 |
Fachvortrag:
Optische Eigenschaften von ionenimplantiertem SiC: Anwendung von Effektiv-Medien-Modellen — •E. Wendler und G. Peiter
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17:00 |
DS 32.6 |
Fachvortrag:
Hochauflösungs-TEM Untersuchungen zum kristallin-amorphen Phasenübergang von kohlenstoffimplantiertem Silizium — •J.K.N. Lindner, W. Attenberger, M. Schmid, A. Rosenauer und B. Stritzker
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17:15 |
DS 32.7 |
Fachvortrag:
Tiefenselektive Phasenanalyse der Fe-Disilizid-Bildung in Fe-ionenimplantiertem Si mittels DCEMS — •M. Walterfang, S. Kruijer, W. Keune, M. Dobler und H. Reuter
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