Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 34: Mechanische Eigenschaften

DS 34.3: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:45–12:00, H32

Spannungsrelaxation in a-Si durch Ionenbeschuß — •Monika Koster und Herbert M. Urbassek — Universität Kaiserslautern, Fachbereich Physik, Erwin-Schrödinger-Straße, 67663 Kaiserslautern

Mithilfe molekulardynamischer Simulationen untersuchen wir Spannungsänderungen in amorphem Silicium unter hyperthermischem Siliciumbeschuß (100 eV). Hierzu wird die amorphe Probe durch homogene Dehnung in tensile oder kompressive Spannung gesetzt.
Man beobachtet in beiden Proben einen Abbau der Spannung, begleitet von Defektentstehung in Form von unter- und überkoordinierten Atomen. Nur die Anzahl der unterkoordinierten Atome hängt vom Spannungszustand der Probe ab. Bei der tensilen Probe werden viele unterkoordinierte Atome gebildet. Die Spannungsrelaxation der kompressiven Probe ist verbunden mit einem nach außen gerichteten Atomfluß der Oberflächenatome, während sich bei der tensilen Probe die Oberfläche nach innen wölbt.