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DS: Dünne Schichten

DS 36: Harte Schichten V

DS 36.2: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 16:00–16:15, H32

Eigenschaften von ionenstrahldeponierten ta-C:F Schichten — •C. Ronning¹, H. Feldermann¹, M. Büttner¹, O. Wondratschek¹, U. Vetter¹, F. Harbsmeier¹, H. Hofsäss¹ und R. Merk² — ¹Universität Göttingen, II. Physikalisches Institut, 37073 Göttingen — ²Universität Münster, Fachbereich Physik, 48149 Münster

Das gesteigerte Interesse an tetraedrisch gebundenen flourhaltigen Kohlenstoffschichten (ta-C:F) beruht auf der Kombination diamantähnlicher Eigenschaften und günstiger Benetzungseigenschaften. Der Einbau von Flour in ein amorphes Kohlenstoffnetzwerk könnte weiterhin zu einer Stabilisierung von sp3-Bindungen und damit zu einer Reduktion der elektronischen Defektzustandsdichte führen. Außerdem wurde bereits gezeigt, daß a-C:F Schichten sehr niedrige Dielektrizitätskonstanten besitzen und somit zur Minimierung von Kapazitäten in elektrischen Schaltkreisen geeignet sind. In unserem Beitrag stellen wir die mechanischen und elektronischen Eigenschaften von ta-C:F-Schichten vor, die über die Deposition massenselektierter Ionen (MSIBD) hergestellt wurden. Charakterisiert wurden die Schichten dazu mit Auger- und Photoelektronenspektroskopie (AES, XPS, UPS, EELS), Rutherford-Rückstreunung (RBS) und Profilometrie.