Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 36: Harte Schichten V

DS 36.3: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 16:15–16:30, H32

Die Eigenschaften von Aluminiumnitrid hergestellt mittels HF-Magnetronsputtern — •T. Drüsedau, K. Koppenhagen und J. Bläsing — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität PF 4120, 39016 Magdeburg

Es werden die Eigenschaften von AlN Schichten untersucht, die in reiner Stickstoffatmosphäre unter Variation des Druckes präpariert wurden. Damit wird die Thermalisation der gesputterten und der reflektierten Spezies gesteuert, ohne die Stöchiometrie der Schichten zu beeinflussen. Das gesputterte AlN ist für Prozeßdrücke kleiner 2 Pa hochgradig c-Achsen orientiert. Die bevorzugte Textur wird durch das Bombardement der wachsenden Schicht mit reflektierten Neutralen erklärt. Eine quantitative Abschätzung des Effektes erfolgt durch TRIM.SP MC Simulationen. Die Kristallitgröße und die Rauhigkeit der 300 nm dicken Schichten erreichen bei 1 Pa ein Maximum von 35 nm bzw. 5 nm. Die optische Bandlücke und der Brechungsindex werden nur schwach vom Druck beeinflußt und betragen 5,0 eV bzw. 2,0.