Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.14: Poster
Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B
Herstellung von AlN Schichten auf (0001)-orientiertem Saphirsubstrat mittels gepulster Laserablation — •S. Six1, J. W. Gerlach1, W. Assmann2 und B. Rauschenbach1 — 1Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg — 2Ludwig-Maximilian Universität München, Sektion Physik, 85748 Garching
Aluminiumnitrid eignet sich nicht nur als Basismaterial für Hochtemperatur- und Hochleistungselektonikbausteine, sondern auch als Oberflächenwellenleiter und für optoelektronische Anwendungen. Die gepulste Laserdeposition erweist sich dabei als geeignetes Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus hexagonalem AlN auf Saphirsubstrat. Zu den untersuchten Wachstumsparametern zählen die Substrattemperatur, die Laserpulsfrequenz und -energie, sowie der Stickstoffpartialdruck während des Depositionsvorgangs. Die Schichten wachsen c-achsen orientiert und mit einer festen Epitaxiebeziehung zum Saphirsubstrat auf. Mittels elastischer Rückstoßionenspektroskopie läßt sich ein Tiefenprofil der Elementkonzentration in den Schichten erstellen. Rutherfordrückstreuspektroskopie mit He-Ionen ist ein weiteres Verfahren, um Informationen über die Stöchiometrie der AlN-Schichten zu erhalten. Das Auftreten von Channeling erklärt sich mit der hohen kristallinen Orientierung des hexagonalen AlN relativ zum Substrat. Röntgentexturuntersuchungen schließlich ermöglichen ein Auffinden der vollständigen epitaktischen Beziehung zum Substrat und dienen als Indikator für die kristalline Qualität der Schichten.