Regensburg 2000 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.17: Poster

Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B

Messung und Simulation der Oberflächenkonzentration während der Laserdeposition von metallischen Schichtpaketen — •M. Weisheit, K. Sturm und H.-U. Krebs — Institut für Materialphysik, Windausweg 2, 37073 Göttingen

Bei der gepulsten Laserdeposition (PLD) im UHV werden Atome mit Energien unterhalb von 10eV direkt auf der Filmoberfläche deponiert. Im Gegensatz dazu besitzen die ebenfalls auftretenden Ionen hohe kinetische Energien bis zu mehreren hundert eV, was zu ihrer Implantation einige Monolangen unter die Oberfläche und zum Wiederabsputtern schon deponierter Atome von der Oberfläche führt. Dies bewirkt an den Grenzflächen von Schichtpaketen eine stetige Änderung der Oberflächenkonzentration, deren Verlauf einerseits experimentell bestimmt und andererseits aus Simulationen des Schichtwachstums während der Laserdeposition berechnet werden kann. Die Simulation stützt sich auf Messungen der Energieverteilung der Ionen [1] und auf Implantationstiefen, die nach einem Modell von Betz und Wien [2] berechnet wurden.

[1] S. Fähler, Dissertation, Universität Göttingen, 1998

[2] G. Betz, K. Wien, Int. J. Mass Spect. 140 (1994) 1-110