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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.28: Poster
Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B
Herstellung epitaktischer CaGe2-Filme auf Germanium — •Günther Vogg, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching
Das Erdalkalimetallsilizid CaSi2 dient als Ausgangsmaterial für diverse Schichtpolymere wie Siloxen und planares Polysilan und wurde bereits eingehend untersucht. Dagegen ist von der äquivalenten Ge-Verbindung CaGe2 außer einem strukturellen Isomorphismus zu CaSi2 relativ wenig bekannt. Wie im Falle von epitaktischem CaSi2 können auch dünne CaGe2-Filme über reaktive Abscheidung (RDE) von Ca auf geheizte Ge-Substrate epitaktisch hergestellt werden. Die im Vergleich zu Si stark reduzierte Ge-Diffusion führt bei gleichzeitig niedriger Schmelztemperatur des Substrates zu einem äußerst schmalen Wachstumsfenster. Hochauflösende Röntgenbeugung (Linienbreiten der rocking-curves bis 0.02∘) und Elektronenmikroskopie zeigen jedoch, dass unter optimierten Bedingungen eine sehr hohe kristalline Qualität erreicht werden kann. Analog zu den beiden unterschiedlich gestapelten Modifikationen tr3 und tr6 im CaSi2 lassen sich im CaGe2 eine h2 und eine tr6 Stapelung nachweisen. Während tr6 CaGe2 an Luft zersetzt wird, bleibt die h2 Modifikation über Monate stabil. Topochemische Reaktionen in konzentrierter HCl führen wie im Fall von CaSi2 zur Bildung von Schichtpolymeren aus zweidimensional vernetztem Ge.