Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.30: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Temperaturabhängige Röntgen- und RHEED-Untersuchungen an MnAs-Epitaxieschichten auf GaAs (001) — •B. Jenichen, W. Braun, F. Schippan, L. Däweritz und K.H. Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

MnAs-Schichten wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt und in eine Anlage für In-situ-Untersuchungen transferiert. Hier wurden sie Temperbehandlungen zwischen 30 und 500^∘C in As-Atmosphäre von 6·10⁻⁷mbar ausgesetzt. Nach Vortemperung bei 300^∘C und nachfolgender Abkühlung finden wir zwischen 30 und 100^∘C eine Koexistenz von hexagonalem und orthorhombischem MnAs. Aus dem Intensitätsverhältnis der beiden Beugungsmaxima kann der Anteil der beiden Phasen abgeschätzt werden. Nach einer sprunghaften Änderung des Gitterparameters bei etwa 120^∘C verschmelzen beide Peaks zu einem, der jedoch seine Lage in Abhängigkeit von der Temperatur ändert. Ein weiterer Sprung im Gitterparameter, der von einer Änderung der Oberflächenrekonstruktion von (1x2)(As-reich) nach (1x1)(As-arm) begleitet wird, tritt bei Erwärmung zwischen 300 und 350^∘C auf. Dieser Sprung zeigt eine Hysterese in der Temperaturabhängigkeit (∼ 100 ^∘C); d.h. bei der Abkühlung finden wir ihn bei geringeren Temperaturen.