DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.30: Poster

Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B

Temperaturabhängige Röntgen- und RHEED-Untersuchungen an MnAs-Epitaxieschichten auf GaAs (001) — •B. Jenichen, W. Braun, F. Schippan, L. Däweritz und K.H. Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

MnAs-Schichten wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt und in eine Anlage für In-situ-Untersuchungen transferiert. Hier wurden sie Temperbehandlungen zwischen 30 und 500C in As-Atmosphäre von 6·10−7mbar ausgesetzt. Nach Vortemperung bei 300C und nachfolgender Abkühlung finden wir zwischen 30 und 100C eine Koexistenz von hexagonalem und orthorhombischem MnAs. Aus dem Intensitätsverhältnis der beiden Beugungsmaxima kann der Anteil der beiden Phasen abgeschätzt werden. Nach einer sprunghaften Änderung des Gitterparameters bei etwa 120C verschmelzen beide Peaks zu einem, der jedoch seine Lage in Abhängigkeit von der Temperatur ändert. Ein weiterer Sprung im Gitterparameter, der von einer Änderung der Oberflächenrekonstruktion von (1x2)(As-reich) nach (1x1)(As-arm) begleitet wird, tritt bei Erwärmung zwischen 300 und 350C auf. Dieser Sprung zeigt eine Hysterese in der Temperaturabhängigkeit (∼ 100 C); d.h. bei der Abkühlung finden wir ihn bei geringeren Temperaturen.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg