Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.35: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

In-situ-Untersuchung von Diffusions- und Kristallwachstumsvorgängen in ITO-Schichten — •Marion Quaas¹, Hartmut Steffen², Rainer Hippler² und Harm Wulff¹ — ¹Institut f. Chemie, Soldtmannstr.23, 17489 Greifswald — ²Institut f. Physik, Domstr.10a, 17489 Greifswald

Schichtbildung, Schicht- und Kristallwachstum von dünnen Indium-Zinn-Oxid-Filmen wurde untersucht. Dünne Schichten (bis 50 nm) wurden durch DC-Magnetron Sputtering von metallischen In/Sn = 90/10 Targets bei verschiedenen Sauerstoff-Flüssen und Biasspannungen hergestellt und durch GIXR, GIXRD, AFM und XPS untersucht. Der Sputterprozeß beeinflußt die Schichtbildung und das Schichtwachstum. Das Wachstum von kristallinem ITO kann durch In-situ-GIXRD in Abhängigkeit von der Temperatur beobachtet werden. Die Bildung von kristallinem ITO wird durch zwei Prozesse bestimmt, die Diffusion von Sauerstoff in die Schicht und einem schnell ablaufenden Kristallisationsprozeß. Aus den Integralintensitäten von In-situ-GIXRD-Messungen wurden die kinetischen Parameter für beide Prozesse bestimmt. Ein Modell für die Bestimmung des Diffusionskoeffizienten aus der Zeitabhängigkeit der Integralintensität eines Röntgenreflexes wurde entwickelt.

Für die Kristallisation von amorphem ITO kann aufgrund von Johnson-Mehl-Avrami-Berechnungen ein dreidimensionales Wachstum vorausgesetzt werden.