Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.37: Poster

Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B

Blei auf Si(111): Leitfähigkeit ultradünner Bleischichten bei tiefen Temperaturen — •O. Pfennigstorf, V. Borchers, A. Petkova, S. Aschemann, H.–L. Günter und M. Henzler — Universität Hannover, Institut für Festkörperphysik, Abteilung Oberflächen, Appelstraße 2, 30167 Hannover

In einer Ultrahochvakuumkammer wurden wenige Monolagen dicke Bleifilme auf einem hochohmigen Si(111)-Substrat bei etwa 15 K aufgewachsen. Zur Charakterisierung der elektronischen Eigenschaften von ultradünnen Bleischichten wurden in situ Leitfähigkeitsmessungen bei tiefen Temperaturen durchgeführt. Beim Wachstum und beim Ausheilen wurde ein Übergang von schlecht geordneten zu gut geordneten Bleischichten in einem starken Anstieg des Leitwertes sichtbar. Die schlecht geordneten Schichten mit einer Dicke kleiner als 5 ML weichen stark von der von einem Drude-Modell vorhergesagten Leitfähigkeit ab. In einer einfachen Abschätzung wird die Leitfähigkeit durch eine freie Weglänge in der Größe der Schichtdicke bestimmt. In diesem Schichtdickenbereich hat der Temperaturkoeffizient des Widerstandes ein negatives Vorzeichen bzw. wechselt sein Vorzeichen beim Tempern. Bei einer Dicke zwischen 1 ML und 2 ML verringert sich bei 6 K die Leitfähigkeit um Größenordnungen. Supraleitungsfluktuationen führen zu einem starken Anstieg der Leitfähigkeit schon oberhalb der Volumensprungtemperatur des Bleis.