Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.3: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Temperaturabhängigkeit der Hohlraumbildung im Si/SiC Schichtsystem — •W. Attenberger, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Vergrabene einkristalline 3C-SiC-Schichten können in Si durch Ionenstrahlsynthese hergestellt werden. Dabei wird Kohlenstoff in einen Si-Wafer bei konstanter Targettemperatur implantiert. Durch einen geeigneten Temperschritt bildet sich eine kastenförmige C-Verteilung etwa 300 nm unter der Oberfläche des Wafers, entsprechend einer vergrabenen SiC-Schicht.

Um die vergrabene SiC-Schicht an der Waferoberfläche freizulegen, liegt nasschemisches Si-Ätzen mit der SiC-Schicht als Ätzstopp nahe. Dabei tritt aber das Problem auf, daß sich danach Nanokristalle an der Oberfläche befinden. Daher wird im Rahmen dieser Arbeit H⁺ bzw. He⁺ in das Si/SiC/Si-Schichtsystem implantiert. In einer durch die Implantationsenergie bestimmten Tiefe bildet sich eine Schicht von Bläschen aus. Diese wachsen durch eine Temperung zusammen. Da die Gase dabei auch ausdiffundieren, bleibt eine Schicht von Hohlräumen zurück. Im Idealfall führt dies zum Abplatzen der Si-Deckschicht.

In dieser Arbeit wird die Mikrostruktur der Si-Deckschicht in Abhängigkeit von den Implantationsparametern Energie, Ionensorte, Implantationstemperatur und Dosis mittels TEM untersucht. Die Temperaturabhängigkeit des Hohlraumwachstums beim Tempern zwischen 500 und 800 ^∘C wird untersucht und für das Freilegen der vergrabenen Schicht optimiert.