Regensburg 2000 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.40: Poster
Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B
Einfluesse von Dotierungen auf die Valenzbandstruktur von VO2 — •W. Niessner, W. Burkhardt, T. Christmann, B.K. Meyer, A. Polity, A. Scharmann und M. Theis — I.Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen
Die Phasenuebergangstemperatur des Halbleiter-Metall- Uebergangs von Vanadiumdioxid (VO2) kann durch verschiedene Dotierstoffe, wie z.B. Wolfram, Fluor oder Niob, effektiv abgesenkt werden. Aber auch die Materialeigenschaften der halbleitenden oder der metallischen Phase werden durch die Dotierung veraendert. In dieser Arbeit werden die Veraenderungen der Valenzbandstruktur durch die Dotierung mittels UPS- und EELS-Messungen untersucht. Die Ergebnisse liefern Erklaerungen für die beobachteten optischen Eigenschaften der VO2- Schichten. Die Arbeit umfasst Experimente zu verschiedenen Dotierstoffen und Konzentrationen und an kodotierten Proben. Die Auswirkungen der Dotierung mit Fluor auf die optischen Eigenschaften kann durch zusaetzliches Dotieren mit Wolfram veraendert werden.