Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.46: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Strukturabhängigkeit der Photolumineszenz von plasmapolymerisierten Organosilanen — •J. Seekamp und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik TU Hamburg-Harburg, Eißendorfer Str. 38, D-21073 Hamburg

Die Photolumineszenz und Struktur von a-Si_1−xC_x:H Schichten aus PECVD Prozessen, abgeschieden aus Organosilanen, weist eine Abhängigkeit vom Ausgangsmaterial auf. In diesem Beitrag wird diese Abhängigkeit am Beispiel der Ausgangsstoffe Hexamethyldisilan und Tetramethylsilan dargestellt. Aus den Photolumineszenz und Infrarotabsorptionsspektren wird ein Modell für den Wachstumsprozeß entwickelt. Die Elektronenzustandsdichten der Strukturen, die sich aus der Anwendung des Wachstumsmodells ergeben, sind berechnet worden. Sie weisen Bandlücken auf, die denen, die aufgrund der Ergebnisse der Photolumineszenzmessung zu erwarten wären, nahe kommen.