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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.48: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Schnelle Datenspeicherung im Phasenwechselmedium Ge₂Sb₂Te₅ : Einfluß einer Deckschicht/ Abhängigkeit von der Schichtdicke — •Ingo Thomas¹, Volker Weidenhof², Ines Friedrich², Stefan Ziegler¹ und Matthias Wuttig¹ — ¹RWTH Aachen, I.Physikalisches Institut Ia,52062 Aachen — ²Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52452 Jülich

Ge₂Sb₂Te₅ kann als wiederbeschreibbarer Datenspeicher benutzt werden, da mit einem kurzen Laserpuls hoher Intensität der Übergang zwischen der kristallinen und der amorphen Phase induziert werden kann. Diese beiden Phasen unterscheiden sich deutlich bezüglich ihrer optischen Eigenschaften. Wir haben die Umwandlungskinetik des Amorphisierens (Bitschreibens) untersucht. Dabei haben wir festgestellt, daß auch für kurze Zeiten kein kinetisches superheating auftritt. In der Anwendung wird auf die aktive Phasenwechselschicht eine dielektrische Schutzschicht gesputtert. Wir haben die Auswirkungen einer solchen Schicht auf die zum Amorphisieren nötige Laserleistung analysiert. Dazu wurden Bits mit verschiedenen Laserpulsen in Proben mit und ohne Deckschicht geschrieben und anschließend anhand des optischen Kontrastes sowie topographisch mit Hilfe eines Rasterkraftmikroskops untersucht. Außerdem wurden Proben mit unterschiedlicher Dicke der Phasenwechselschicht verwendet, um die Abhängigkeit der Schwellenleistung von der Schichtdicke zu untersuchen.