Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.7: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Herstellung dünner epitaktischer Galliumnitrid-Schichten mittels ionengestützter Deposition — •R. Schwertberger, J.W. Gerlach, S. Sienz und B. Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Epitaktische, hexagonale GaN-Schichten wurden durch ionengestützte Abscheidung unter Verwendung niederenergetischer Stickstoffionen (Energien bis zu 250 eV) auf c-Saphir deponiert und strukturell charakterisiert.

Schlüssel zu einer erfolgreichen Verwendung von GaN-Schichten für optoelektronische Anwendungen ist eine hohe Kristallqualität. Mittels Röntgenbeugung, Ionengitterführung, Transmissionselektronenmikroskopie und Rasterkraftmikroskopie wurden deshalb die Mosaikverteilung, die Tiefenverteilung von Defekten und die Grenzflächen von GaN-Schichten untersucht, die bei verschiedenen Ionenenergien und Ion/Atom-Verhältnissen hergestellt wurden.

Die Ergebnisse zeigen, daß epitaktische GaN-Schichten von hoher kristalliner Qualität mittels der ionengestützten Abscheidung hergestellt werden können. Dazu ist eine Reduzierung der Erzeugung von ioneninduzierten Defekten unterhalb der Schichtoberfläche, sowie eine Vermeidung der Ausbildung kubischer Ausscheidungen erforderlich.