Regensburg 2000 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.9: Poster
Tuesday, March 28, 2000, 09:30–17:30, Poster B
Gepulste Magnetron-Sputterdeposition von Silizium-Dünnschichten — •P. Reinig, F. Fenske, B. Selle und W. Fuhs — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Abt. Photovoltaik, Kekulestr.5, 12489 Berlin
Mittels gepulster DC-Magnetron-Sputterdeposition werden
Silizium-Dünnschichten abgeschieden.
Die Puls-DC Anregung ist aufgrund hoher Plasmadichten, hoher
Depositionsraten und der Möglichkeit
des up-scalings besonders geeignet für Niedertemperatur-Depositionen
auf Glassubstraten.
Die Dichte der Schichten wurde aus absoluter Dickenmessung
(Profilometer) und Rutherford-Rückstreu-(RBS)-Analyse
bestimmt. Die Dichte beträgt mehr als 98 % der c-Si-bulk-Dichte. Bei
gepulster Deposition (200 nm/min) zeigen
amorphe Schichten im Vergleich zur DC-Deposition eine Zunahme der
Dichte. Diese Ergebnisse werden mit dem
Brechungsindex (FTIR-Spektroskopie) korreliert.
Die Fremdatomkonzentration wurde mittels Elastischer Rückstreuanalyse
(ERDA), RBS und SIMS bestimmt.
Typische Konzentrationen von Ar liegen im Bereich 1019 cm−3
- 5 * 1020 cm−3.
Die Verteilung von Wasserstoff in den Schichten wird mit einer
Kernreaktions-Methode (15 N-Methode) analysiert.