Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 5: Laserverfahren II

DS 5.1: Fachvortrag

Montag, 27. März 2000, 14:45–15:00, H31

Schichtabscheidung mit Excimerlaserstrahlung für optische Anwendungen — •J. Petereit, J. Gottmann, E.W. Kreutz und R. Poprawe — Lehrstuhl für Lasertechnik der RWTH Aachen, Steinbachstrasse 15, D–52074 Aachen

Material von gesinterten Targets aus Al₂O₃, ZrO₂ und Nd:YAG wird mit KrF-Laserstrahlung (λ=248 nm, τ=20 ns) abgetragen. Das entstehende Plasma expandiert in eine Prozessgasatmosphäre (O₂, He, Ne, Ar) mit einem Prozessgasdruck von 1–100 Pa. Nach 2–4 cm Target–Substrat–Abstand wird auf einem Substrat aus Polymer oder Glas abgeschieden. Ziel der Prozessuntersuchungen ist eine grossflächige Beschichtungen mit homogenen optischen Eigenschaften. Die Ortsabhängigkeit der Schichtdicke und des Brechungsindex werden mit Ellipsometrie und Reflektionsspektroskopie, die Zusammensetzung mit Photoemissionsspektroskopie gemessen. Strukturelle Eigenschaften werden mit Elektronenmikroskopie und Röntgenbeugung untersucht. Die Winkelverteilung der Plasmateilchen, welche mit einer intensivierten CCD–Kamera aufgenommen wird, bestimmt die Schichtdickenverteilung.
Dargestellt wird die Beziehung zwischen den Eigenschaften der Schichten (Brechungsindex, Absorptionsindex und Schichtdicke) und den Verfahrensparametern (Prozessgasart, Prozessgasdruck, Energiedichte auf dem Target und Target–Substrat–Abstand).