Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: In-situ-Charakterisierung I

DS 9.4: Fachvortrag

Montag, 27. März 2000, 10:15–10:30, H32

Reflektionsunterstuetzte Pyrometrie zur Optimierung der Regelung an einer SiGe-MBE-Anlage — •Georg Eifler, Oehme Michael und Bauer Matthias — Institut fuer Halbleitertechnik, Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart

In der verwendeten MBE-Anlage zur Herstellung von SiGe/Si-Hetero- strukturen wird das Substrat durch einen stromdurchflossenen Graphitmaeander von seiner Rueckseite strahlungsgeheizt. Die Messung der Temperatur ueber ein Thermoelement hinter dem Maeander kann nur bedingt die wahre Temperatur des Substrats wiedergeben. Die Regelung ueber ein Thermoelement kann zu deutlichen Abweichungen der wahren Temperatur vom gewuenschten Verlauf fuehren und die Wachstumsbedingungen verfaelschen. Mit Hilfe der reflektionsunterstuetzten Pyrometrie (Pyritte) koennen Gleichgewichtstemperaturen und Temperaturverlaeufe unabhaengig vom Einfluss der Substratdotierung bestimmt werden. Mit diesen zusaetzlichen Temperaturinformationen kann die Regelung ueber das Thermoelement optimiert werden, so dass der gewuenschte Sollwert moeglichst schnell, ohne Ueber- bzw. Unterschwinger erreicht wird. Experimentelle Ergebnisse fuer die Temperaturregelung der Substratheizung der SiGe MBE-Anlage im Temperaturbereich von 500-800^∘C werden vorgestellt und diskutiert.