Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Diamant
HL 10.4: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 17:15–17:30, H13
EPR-Nachweis von Ni-korrelierten Defekten in synthetischem Diamant — •R. Pereira1, W. Gehlhoff2, A.J. Neves1, A. Näser2, N. A. Sobolev1, A. Hoffmann2, H. Kanada3, M. H. Nazare1 und D. Bimberg2 — 1Department of Physics, Universität Aveiro, 3810 Aveiro, Portugal — 2Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 3National Institute for Research in Inorganic Materials (NIRIM), Namiki 1-1, Tsukuba, Japan
Bei der Hochdrucksynthese von Diamant werden Ni, Fe, Co, Mn und deren Verbindungen als Katalysator eingesetzt. Bei Einsatz von Ni-Katalysatoren wurden bisher mehrere EPR-Zentren nachgewiesen, die verschiedenen Ni-Komplexen mit der Hauptverunreinigung N zugeordnet werden [1]. Kristalle mit hohem N-Gehalt wurden von uns nach Temperung bei 1600∘C mittels EPR untersucht. Die Analyse der sehr komplexen EPR-Spektren um g=2 zeigte, dass neben bekannten Ni-korrelierten Zentren vier neue als AB1-AB4 bezeichnete Zentren auftreten. Während die Zentren AB1 und AB2 trigonale Symmetrie aufweisen, besitzen die Zentren AB3 und AB4 orthorhombische Symmetrie. Die Spektren dieser 4 Zentren können mit einem Spin S=1/2 beschrieben werden. Zusätzlich wurde ein weiteres als AB5 bezeichnetes trigonales Zentrum mit Spin S=1 nachgewiesen. Für alle fünf Zentren wird keine Hyperfeinstruktur beobachtet, so dass N nicht direkt an den Zentren beteiligt zu sein scheint.
[1] R.I. Mashkovtsev, Yu. N. Pal’yanov, Solid State Commun. 111 (1999) 397