Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Diamant

HL 10.5: Talk

Monday, March 27, 2000, 17:30–17:45, H13

Herstellung und Charakterisierung lithiumdotierter CVD-Diamantschichten — •H. Sternschulte, M. Schreck und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg

Homoepitaktische lithiumdotierte Diamantschichten wurden mittels Mikrowellenplasma-CVD durch Zugabe von Lithium-t-Butoxid (LiOC₄H₉) oder reinem Li abgeschieden. Während des Kristallwachstums wurde die optische Emission des Plasmas untersucht. Intensive Emissionslinien von atomarem Li werden neben den Linien des H₂/CH₄-Plasmas beobachtet. In einem Bereich niedriger Konzentrationen steigt die Li-Emissionsintensität mit zunehmender Li-Zugabe bei konstanter Emission des Wasserstoffs an. Bei hohen Konzentrationen kommt es zu einer Rückkopplung des Li auf das gesamte Plasma mit einer Unterdrückung der Emission von atomarem Wasserstoff sowie einer verschwindenden Wachstumsrate von Diamant.

In den homoepitaktischen Schichten wurde Li in Konzentrationen bis zu 300 ppm nachgewiesen. Diese Schichten zeigen in Raman- und REM-Untersuchungen keine morphologischen und strukturellen Unterschiede zum Substratmaterial. Der Einfluß der verschiedenen Li-Precursoren auf das Einbauverhalten von Lithium und Sauerstoff, sowie auf die elektrischen und optischen Eigenschaften wird vorgestellt und diskutiert. Ergänzend werden diese Ergebnisse mit Li-Implantationsexperimenten verglichen.