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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Diamant

HL 10.8: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 18:15–18:30, H13

Spektroskopische Untersuchungen zur Ausbildung von Dia mant-Metall-Grenzschichten — •F. Maier, M. Riedel, J. Ristein und L. Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen

Für den Einsatz von Diamant im Halbleitersektor ist die Frage nach der Herstellung definierter ohmscher und sperrender Metall- Kontakte von entscheidender Bedeutung. Vorgestellt werden spektroskopische in-situ Messungen (XPS, UPS, Yield) an plasmahydrierten und reinen Diamanteinkristall-Oberflächen, die monolagenweise mit Au bzw. Al bedampft wurden. LEED und Austrittsarbeitmessungen ergänzen obige Methoden. Für die verschiedenen Terminierungen der Oberfläche zeigen sich deutliche Unterschiede in der Ausbildung der Metall-Halbleiter- Grenzfläche. Es wird versucht, die Rolle des Wasserstoffs am Interface aufzuklären.