Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.10: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 18:45–19:00, H14

Wechselwirkung von molekularem Brom mit SiC(0001)-Oberflächen — •S. Glass, H. Nienhaus und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg

Die Bromaufnahme sowie die Änderung der elektronischen

Eigenschaften wurden an (√3×√3)- sowie

(6√3×6√3)-rekonstruierten Oberflächen von

6H- und 4H-SiC(0001) mittels Beugung niederenergetischer

Elektronen (LEED), Photoemissionsspektroskopie und

Austrittsarbeitsmessung bestimmt. An der

(√3×√3)-rekonstruierten Oberfläche

dissoziieren Brommoleküle und es entsteht ein

1×1-LEED-Bild.Thermische Desorption des Broms stellt die

(√3×√3)-Rekonstruktion wieder her. Die

Bromaufnahme an der (6√3×6√3)-rekonstruierten

Oberfläche ist abhängig von der gewählten

Präparationstemperatur. Oberhalb 1000^∘C kommt es zur

Graphitierung der Oberfläche und Brom wird molekular

physisorbiert. Unterhalb 1000^∘C wird ähnlich zur

(√3×√3)-rekonstruierten Fläche Brom durch

dissoziative Chemisorption aufgenommen. Ein geringer Anteil wird

wie auf der graphitierten Fläche physisorbiert. Die

(6√3×6√3)-Rekonstruktion der Oberfläche

bleibt nach Bromangeboten erhalten.