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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.1: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 16:30–16:45, H14

Komplexbildung intrinsischer Punktdefekte in SiC — •E. Rauls¹, Th. Lingner², Z. Hajnal¹, A. Gali³, P. Deák³, Th. Frauenheim¹, S. Greulich-Weber² und J.-M. Spaeth² — ¹Universität Paderborn, Theoretische Physik — ²Universität Paderborn, Experimentalphysik — ³Dept. of Atomic Physics,TU Budapest, Hungary

Die Formationsenergien für verschiedene Komplexe aus strahlungsinduzierten und intrinsischen Punktdefekten in SiC, wie Vakanzen und Antisites, wurden mit einer ladungsselbstkonsistenten Dichtefunktional basierten Tight–Binding Methode (SSC-DFTB) [1] berechnet. In vielen Fällen wurde für nahe benachbarte Defekte eine Absenkung der Formationsenergie gegenüber weit entfernten Defektpaaren gefunden. Die Ergebnisse sind ein Indiz für die Agglomeration von Punktdefekten und die Bildung von Defektkomplexen beim thermischen Ausheilen der primären Strahlendefekte.

[1] J. Elsner, R. Jones, M.I. Heggie, M. Haugk, R. Gutierrez, Th. Frauenheim, S. Öberg and P. R. Briddon, Appl. Phys. Lett. 73, (1998) 3530.