Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.5: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 17:30–17:45, H14

Photoemissionsuntersuchungen an Silikat Adlagen auf 6H- SiC — •N. Sieber, M. Hollering, M. Stammler, J. Ristein und L. Ley — Institut für Technische Physik 2, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen

Bisherige Photoemissionsuntersuchungen (XPS, ARUPS) der Silikat-Adlage auf 6H-SiC wurden nur auf der kohlenstoffter minierten Seite durchgeführt [1]. Wir berichten über Photoemissionsuntersuchungen der Silikat-Adlage auf der siliziumterminerten Seite von 6H-SiC und vergleichen die Ergebnisse mit denen der kohlenstoffterminerten Oberfläche. Es stellt sich heraus, daß in den Valenzbandspektren beider Oberflächen Zustände in der ionischen Bandlücke auftreten, die bindenden O2p-Si3p Zuständen entsprechen. Auch ein Zustand, der einem weitestgehend inerten O 2p Orbital (lone pair) entspricht, ist für beide Oberflächen identifizierbar. Im Bereich der Bandlücke erwartet man einen dangling bond Zustand, der dreifach koordinierten Atomen zugeordnet werden kann: ein Si dangling bond auf der (0001)-Oberfläche und ein C dangling bond auf (0001)-Oberfläche. Dieser Zustand wird auf der C-terminierten Oberfläche etwa 0.4 eV oberhalb des Valenzbandmaximums beobachtet. Aus der Lage des Ferminiveaus schließen wir, daß es sich dabei um den unteren Zustand eines Mott-Hubbard Bandes handelt. Auf der Si- Seite wird dieser Zustand nicht beobachtet. Wir führen dies auf eine Absättigung des dangling bonds durch OH-Gruppen zurück.

[1] M. Hollering, F. Maier, N. Sieber, M. Stammler, J. Ristein, and L. Ley, Surf. Sci. 442 (1999) 531 (in press)