Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.6: Talk

Monday, March 27, 2000, 17:45–18:00, H14

Sublimationszüchtung von 15R-SiC Volumenkristallen — •N. Schulze¹, D. L. Barrett¹, M. Weidner¹, G. Pensl¹, S. Rohmfeld² und M. Hundhausen² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

15-R Siliziumkarbid Einkristalle wurden mit modifiziertem Lely-Verfahren gewachsen. Ein hoher Silizium-Anteil in der Gasphase begünstigt das Wachstum von 6H-SiC, eine Reduzierung des Silizium-Anteils führt zum Wachstum von 4H- und 15R-SiC. 15R-SiC Volumenkristalle konnten stabil nur auf einem 15R-SiC Saatkristall (Si-Seite) im Temperaturbereich von 2150⁰C bis 2200⁰C unter Verwendung von stöchiometrischem Quellenmaterial gewachsen werden. Der Gastransport von Kohlenstoff wurde unter Verwendung einer mit dem Kohlenstoffisotop 13C angereicherten Quelle (99%) untersucht. Mehr als 60% des im Kristall eingebauten Kohlenstoffs resultiert aus den Graphitteilen im Züchtungsreaktor. Die Stickstoffkonzentration der 15R-SiC Volumenkristalle liegt im Bereich von 5· 10¹⁷cm⁻³ bis 2· 10¹⁸cm⁻³. Das Maximum der Elektronen-Hall-Beweglichkeit ist bei 320cm²/Vs. Drei tiefe Defekt-Zentren, bezeichnet mit W₁, W₂ und W₃, wurden in DLTS-Spektren von gewachsenen 15R-SiC Kristallen gefunden. Die Temperaturposition der DLTS-Peaks entspricht den bekannten Defekten E_1/2 bzw. Z_1/2 im 6H-SiC Polytyp.