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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.7: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 18:00–18:15, H14

Homoepitaktisches CVD-Epitaxieschichten auf einkristallinen Kugeln aus 6H SiC — •K. Christiansen¹, K. Schneider¹, S. Christiansen², H. P. Strunk² und R. Helbig¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Werkstoffwissenschaften VII - Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen-Nürnberg

Das Wachstum homoepitaktischer Schichten auf Kugeln aus 6H SiC mittels chemischer Gasphasen Epitaxie (CVD) wurde untersucht. Wir haben Kugeln als Substrat verwendet um das CVD Wachstum gleichzeitig in unterschiedlichen kristallographischen Richtungen untersuchen zu können. Als Substratmaterial wurden Kristalle gewachsen mit dem modifizierten Lelyprozess verwendet, die anschließend zu Kugeln mit einem Durchmesser von ca. 5mm poliert wurden. Optische- und elektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen 6 kristallographisch hervorgehobene Bänder, die vom (0001) Si Pol zum (0001) C Pol entlang der ⟨ 110x⟩ Richtung laufen. Die Bänder haben Stufencharakter mit den (000±1) Flächen als Trittflächen, den {1100} Flächen als Steigflächen und den {1120} Flächen als Seitenflächen. Um den (0001) Si Pol und (0001) C Pol beobachten wir störungsfreies Wachstum. In allen anderen Richtungen zeigt sich eine rauhe Oberflächentopologie mit terrassenartigem Charakter. Aufgrund der Oberflächenbeschaffenheit lässt sich eine Hierarchie in den Wachstumsgeschwindigkeiten festlegen: die ⟨ 1120⟩ Richtungen wachsen am schnellsten gefolgt von den ⟨ 1100⟩ Richtungen, die [000±1] Richtungen wachsen am langsamsten.