Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.8: Talk

Monday, March 27, 2000, 18:15–18:30, H14

Tantal und Wolfram in SiC: Identifikation tiefer Störstellen mittels Radiotracer-DLTS — •Norbert Achtziger¹, Joachim Grillenberger¹, Gunnar Pasold¹, Rainer Sielemann² und Wolfgang Witthuhn¹ — ¹Inst.f.Festkörperphysik, Univ. Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — ²Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin

Tantal wird als Behälter- oder Gettermaterial bei der SiC-Kristallzucht[1] und in Form von TaC als Suszeptorbeschichtung bei der Epitaxie[2] verwendet. Folglich ist prinzipiell mit einer Ta Verunreinigung in diesen Kristallen zu rechnen. Wolfram könnte aufgrund seiner therm. Stabilität in Zukunft ähnliche Bedeutung erlangen. Zur Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Ta und W wurden diese Elemente in n-typ SiC (4H, 6H) implantiert und mittels DLTS untersucht. Neben üblicher Mehrfachimplantation (1-6.2 MeV) wurden mittels Rückstoßimplantation die radioaktive Isotope 177Ta und 178W implantiert. Deren Elementumwandlung bewirkt in aufeinanderfolgend gemessenen DLTS-Spektren eine exponentielle Abnahme der Ta- und W-korrelierten Niveaus. Dies liefert eine eindeutigen Zuordnung und schließt Verwechslungen mit anderen (z.B. Implantations-) Defekten aus. Dies ist hier von besonderer Bedeutung, da z.B. das Ta-Niveau in 4H-SiC (Ec-0.65(3)eV)[3] nahezu mit dem häufig beobachtete Z-Zentrum übereinstimmt. [1] Yu.A. Vodakov et al., phys.stat.sol.(b) 202, 177 (1997) [2] L.B.Rowland, G.T.Dunne (Sterling Semiconductor), ICSCRM 99 conference [3] J.Grillenberger, N.Achtziger, R.Sielemann, W.Witthuhn, submitted to J.Appl.Phys.