Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

HL 11.9: Talk

Monday, March 27, 2000, 18:30–18:45, H14

Oxidation von verspannten SiGeC-Schichten auf Si(100)-Substrat. — •K. Pressel¹, M. Franz¹, A. Cuardas², B. Garrido², C. Bonafos², J. R. Morante² und L. Fonseca³ — ¹Institut für Halbleiterphysik (IHP), Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt/Oder — ²Dep. d’Electronica, Universitat de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Spain — ³Institut de Microelectronica de Barcelona, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain

Wir beobachten bei Trockenoxidation von SiGeC eine Anreicherung von Germanium im SiGeC-Bereich der SiO2/SiGeC-Grenzfläche und die Bildung von Siliziumkarbidpräzipitate in der SiGeC-Schicht. Wir stellen ein qualitatives Modell zur Beschreibung der Oxidation vor.

Der Unterschied in den Beweglichkeiten von n-MOSFET und p-MOSFET ist ein Nachteil der CMOS-Technologie, der durch die Verwendung von p-SiGe MOSFET Strukturen verbessert werden kann. Wir stellen Untersuchungen mit Ellipsometrie, XPS, SIMS, TEM und FTIR-Absorption zur Oxidation an verspannten SiGeC-Schichten vor. TEM Untersuchungen zeigen eine gute Oxidqualität. Untersuchungen an der darunterliegenden SiGeC Schicht führen zu zwei Beobachtungen: i) Ge segregiert durch das Oxidwachstum, reichert sich zunächst verstärkt an der Zwischenschicht an und diffundiert dann zunehmend in die SiGeC Schicht hinein; ii) Kohlenstoff verlässt seinen substitutionellen Gitterplatz und bildet Präzipitate. Mit TEM und FTIR-Absorption lassen sich Siliziumkarbitpräzipitate nachweisen.