Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.11: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Morphologie und Zusammensetzung von CdSe/ZnSe Quantenpunktstrukturen — •D. Litvinov¹, A. Rosenauer¹, D. Gerthsen¹ und D. Schikora² — ¹Universität Karlsruhe, Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Kaiserstr. 12, 76128 Karlsruhe — ²Universität Paderborn, FB Physik, Warburger Str. 100, 33098 Padeborn

Die Struktur und Zusammensetzung von CdSe-Schichten mit nominellen Dicken t zwischen 2.3 - 3.1 Monolagen in einer ZnSe-Matrix auf GaAs(001) wurden mit konventioneller und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie analysiert.

In allen Proben wird eine im Vergleich zur nominellen Dicke stark verbreiterte ternäre CdZnSe Schicht beobachtet, deren Cd-Konzentration x_Cd mit der nominellen Schichtdicke von 13 auf 18 % ansteigt. In die Schicht sind Bereiche mit erhöhter Cd-Konzentration (Inseln) eingelagert. Große Inseln mit Abmessungen von 16 ± 6 nm und x_Cd > 40 % entstehen nach dem Übergang vom zwei- zum dreidimensionalen Wachstum. Die Inseldichte nimmt mit t von 10⁹ bis auf 5*10¹⁰ cm⁻² zu. Zusätzlich werden kleine Inseln mit Abmessungen unter 10 nm und einer Dichte um 10¹¹ cm⁻² unabhängig von t beobachtet, in denen x_Cd lediglich auf den doppelten Wert der umgebenden Schicht ansteigt.