Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.14: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Identifizierung der Ag-Akzeptoren in ¹¹¹Ag/¹¹¹Cd-dotiertem ZnTe und CdTe — •J. Hamann¹, M. Deicher², S. Lany¹, V. Ostheimer¹, F. Strasser¹, H. Wolf¹, ISOLDE-Collaboration³ und Th. Wichert¹ — ¹Universität des Saarlandes, Technische Physik, 66041 Saarbrücken — ²Universität Konstanz, Fakultät für Physik, 78134 Konstanz — ³PPE ISOLDE, CERN, CH-1211 Genf 23

Mit Hilfe der Photolumineszenz-Spektroskopie (PL) wurden sowohl in ZnTe als auch in CdTe die Ag-Akzeptoren eindeutig identifiziert. Die Bindungsenergien betragen in ZnTe E_A = 121 meV und in CdTe
E_A = 108 meV. Dazu wurden ZnTe- und CdTe-Kristalle mit ¹¹¹Ag-Ionen implantiert, die mit einer Halbwertszeit von 7,45 Tagen zu ¹¹¹Cd zerfallen. Die Intensitäten aller Linien in den PL-Spektren, die mit den Ag-Akzeptoren zusammenhängen, nehmen in Übereinstimmung mit der Halbwertszeit von ¹¹¹Ag ab. Die so identifizierten Linien werden durch Donator-Akzeptor-Übergänge, die Rekombination gebundener Exzitonen und Two-Hole Transitions verursacht. Für den Donator-Akzeptor-Übergang in CdTe ist diese Übereinstimmung bereits gezeigt worden [1]. Die Resultate bestätigen die Zuordnungen aus der Literatur [2][3], die aufgrund der dort verwendeten experimentellen Bedingungen nicht eindeutig gewesen sind.
Gefördert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA.

[1] J. Hamann et al.; Appl. Phys. Lett. 72, 3029 (1998)

[2] H. Venghaus, P.J. Dean; Phys. Rev. B 21, 1596 (1980)

[3] J.P. Chamonal et al.; Solid State Commun. 43, 801 (1982)