Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.15: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Polarisierte Lumineszenz aus CdS/ZnSe Quantenfilmen — •M. Schmidt, S. Petillon, M. Dremel, E. Kurtz, M. Grün und C. Klingshirn — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe

Quaternäre Heterostrukturen besitzen oft eine Typ-II-Bandanordnung mit großen Potentialsprüngen, sowohl im Leitungs- als auch im Valenzband. Die Lumineszenz aus diesen Heterostrukturen erfolgt dabei durch einen räumlich indirekten Übergang über die Grenzfläche der beiden beteiligten binären Halbleiter hinweg.

In diesem Beitrag wird gezeigt, daß die Polarisation der Lumineszenz in CdS/ZnSe-Quantenfilmen direkt mit den chemischen Bindungen (Cd-Se und Zn-S) an der Grenzfläche CdS/ZnSe zusammenhängt. Die Proben wurden auf GaAs(001)-Substraten mit Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Eine Grenzfläche konnte dabei durch die Verwendung von Elementquellen (Zink und Selen) direkt beim Wachstum definiert werden.

Polarisationsabhängige Photolumineszenzexperimente bei T=6K zeigen, daß die Lumineszenz entlang der [110]-Richtung, d.h. in der Ebene der Cd-Se-Grenzflächenbindung polarisiert ist. Der Polarisationsgrad liegt bei etwa 30%. Der Einfluß unterschiedlicher Grenzflächenterminierungen ist deutlich in der Lumineszenz (spektrale Lage und Breite) zu erkennen.