Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.18: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

In-situ Untersuchung von schnellen MOVPE-Wachstumsprozessen mit Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie — •A. Wirsig, K. Haberland, E. Steimetz, F. Poser, J.-T. Zettler und W. Richter — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS/RDS) hat sich als optische in-situ Meßmethode während der Epitaxie von Halbleiterstrukturen bewährt. RAS ist ein oberflächenempfindliches Verfahren, daß zur Bestimmung der Rekonstruktion und Stöchiometrie der Wachstumsoberfläche genutzt werden kann. Herkömmliche RAS-Systeme haben Meßzeiten im Minutenbereich, was bei schnellen Wachstumsprozessen, beim Wachstum dünner Schichten oder der Ausbildung von inneren Grenzflächen nicht zur spektralen Untersuchung der Prozesse ausreicht. Um diesen Anforderungen einer schnellen in-situ-Charakterisierung von Halbleiteroberflächen und Grenzflächen in MOVPE-Reaktoren gerecht zu werden, stellen wir ein neuartiges RAS-Konzept vor. Es wurde ein RAS-Aufbau entwickelt, der mittels paralleler Verwendung von zwei Dioden-Arrays in einem Strahlteiler-Aufbau spektrale Messzeiten im Sekunden-Bereich ermöglicht. Damit können nun dynamische Wachstumsprozesse wie z.B. die Bildung von InAs-Quantenpunkten auf GaAs und die Ausbildung von Halbleiter-Heterogrenzflächen zeitaufgelöst und spektral auf dieser Zeitskala untersucht werden. Wir stellen hier den optischen Aufbau vor und diskutieren erste Messergebnisse.