Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.19: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A
Elektrische und strukturelle Charakterisierung epitaktischer CaF2-Schichten auf Si(111) — •B.H. Müller, C.R. Wang und K.R. Hofmann — Institut für Halbleitertechnologie, Uni. Hannover
Aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung in der Halbleitertechnologie ist das Interesse an dünnen und defektfreien Isolatorschichten sehr groß. Neben klassischen Isolationsaufgaben können sich mit ihnen neue, auf quantenmechanischen Grundlagen basierende Bauelemente – z.B. Resonante Tunneldioden – realisieren lassen. Mit einer Gitterfehlanpassung von nur 0.6% bei Raumtemperatur und einer kompatiblen Kristallgitterstruktur ist CaF2 ein vielversprechender Kandidat für epitaktische Isolatorschichten auf Si(111).
CaF2-Filme im Bereich von 3Å bis 400Å wurden mittels MBE auf Si(111) abgeschieden. Untersucht wurde der Einfluss der Substrattempe ratur und einer Ionisierung/Nachbeschleunigung des CaF2-Molekülstrahls auf die Eigenschaften des Isolatorfilms.
Für die Analyse der Morphologie wurden ex-situ AFM-Messungen durchgeführt. Sowohl ex- als auch in-situ aufgebrachte Metallkontakte dienten der Herstellung von Mesadioden. Zum Vergleich wurden die Proben einem Temperschritt in Formiergas unterzogen.
An den Dioden wurden IV- und CV-Messungen durchgeführt, woraus Informationen über Durchbruchspannungen (bis zu ≥10MV/cm) und Transportmechanismen in Korrelation zu den Wachstumsparametern abgeleitet werden können.