Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.20: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Wachstum, Stabilität und elektrische Eigenschaften metastabiler α-Sn-Schichten — •B. Roldán Cuenya, W. Keune und U. v. Hörsten — Laboratorium für Angewandte Physik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, 47048 Duisburg

α-Sn ist ein nichtpolarer Halbleiter mit Diamant-Struktur und einer Bandlücke von nur 0.08 eV bei 300 K. Obwohl α-Sn oberhalb 12.3^∘C unstabil ist (α → β Übergang), läßt es sich als dünne Schicht bei 300 K stabilisieren. Metastabile α-Sn-Filme wurden bis max. 1100 Å Dicke auf (4x2) InSb(001) mittels MBE präpariert. Wir erhielten epitaktisches α-Sn(001) mit p(2x2)-Rekonstruktionen in LEED- und RHEED-Bildern. Die mittels RHEED gemessene planare Gitterkonstante expandiert bei zunehmender Sn-Bedeckung. Es wurde ex-situ ¹¹⁹Sn-Mössbauerspektroskopie (CEMS) an Pt- bzw. Si-bedeckten Proben als Funktion der α-Sn-Dicke durchgeführt. Während die Si-bedeckten Proben stets eine für α-Sn typische schmale Einzellinie zeigen, weisen die Pt-bedeckten Schichten eine starke Zunahme der Linienbreite mit abnehmender Sn-Dicke auf, vermutlich durch Pt-Sn-Interdiffusion. Außerdem wurden durch UHV-Verdampfung präparierte amorphe-Si/Sn-Vielfachschichten mittels CEMS, Röntgenbeugung und Messung des elektrischen Widerstandes als Funktion der Sn-Filmdicke untersucht. Mit zunehmender Sn-Dicke finden wir zunächst α-Sn und ab einer kritischen Dicke ein α-Sn/β-Sn-Phasengemisch.

Gefördert durch DFG/GRK 277/1-97.