Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.22: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
MOVPE-Wachstum von AlGaAs/GaAs-Quantendrähten auf vorstrukturierten Substraten — •A. Kaluza1, A. Schwarz1, H. Hardtdegen1, D. Meertens2, N. Nastase1, Th. Schäpers1 und H. Lüth1 — 1ISI, Forschungszentrum Jülich — 2IFF, Forschungszentrum Jülich
Im Hinblick auf die Untersuchung von eindimensionalem Transport wurden in der Vergangenheit Quantendrähte hoher Qualität durch selbstorganisiertes MOVPE-Wachstum von Al0.30Ga0.70As/GaAs-Heterostrukturen auf v-förmig vorstrukturierten Substraten hergestellt [1]. Eine weitere Verbesserung dieser Strukturen sowohl im Hinblick auf die Quantendrahtgeometrie als auch auf die Grenzflächenschärfe sollte die Verwendung niedrigerer Wachstumstemperaturen bringen, was bei der Al0.30Ga0.70As Herstellung allerdings problematisch ist. Die bisher untersuchten Standardquellenverbindungen TMGa/TMAl sowie die alternativen Quellenverbindungen TEGa/DMEAAl in Kombination mit der Gruppe V Verbindung AsH3 führten zu nicht ausreichender Schichtqualität bzw. ungünstigen Drahtgeometrien [2]. Aus diesem Grund wurden weitere Quellenkombinationen auch unter Verwendung der alternativen Gruppe V Quelle TBAs untersucht. Es stellt sich heraus, daß insbesondere das Wachstum mit TMGa/DMEAAl zu vielversprechenden Geometrien führt.
[1] Th. Schäpers et al. Appl.Surf.Sci. 123/124 (1998) 687-693
[2] A. Hartmann et al. J. Crystal Growth 170 (1997) 605-610