Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.23: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

InAs-Quantenpunkte auf Si(100): Wachstumsuntersuchungen mittels hochaufgelöstem LEED und AFM — •W. Weigand¹, M. Sokolowski¹, E. Umbach¹, L. Hansen² und A. Waag² — ¹Exp. Physik II — ²Exp. Physik III, Univ. Würzburg, 97074 Würzburg

Besonders für der innovative optoelektronische Bauteile ist es wichtig, gezielt Quantenpunkte zu wachsen. Um jedoch Wachstumsprozesse solcher Quantenpunkte zu kontrollieren, benötigt man ein tieferes Verständis der Wachstumsmechanismen und der Zusammensetzung der Quantenpunkte. Deshalb untersuchen wir die Entstehung von InAs-Quantenpunkten auf Si(100)-Substraten. Mittels hochaufgelöster niederenergetischer Elektronenbeugung (SPA-LEED) und Rasterkraftmikroskopie wurde das Wachstumsverhalten in Abhängigkeit von den Depositionsbedingungen studiert, um so Abweichungen vom klassischen Stranski-Krastanov Wachstum [1] zu detektieren. Im Vordergrund unserer Experimente steht der Einfluß des „Wetting-Layers “auf die Entwicklung der Quantenpunkte. Die ersten Untersuchungen mittels SPA-LEED zeigen keine Veränderung der horizontalen Gitterkonstanten, jedoch konnten wir eine starke Variation der vertikalen Gitterkonstanten unterschiedlich starker InAs-Filme entdecken.
(Gefördert durch die DFG)

[1] P.B. Joyce et al., Phys. Rev. B, 58, (1998) 15981