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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.25: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Lateral gekoppelte Quantenpunkte und Quantenpunkte mit Störstellen — •Andreas Wensauer, Michael Suhrke und Ulrich Rössler — Universität Regensburg, Institut für Theoretische Physik, 93040 Regensburg

Im Gegensatz zur Mehrzahl der existierenden theoretischen Arbeiten über Quantenpunkte, die ein axialsymmetrisches parabolisches (laterales) Confinement-Potential voraussetzen, wollen wir uns auf Wenig-Elektronen-Quantenpunkte konzentrieren, denen externe Potentiale mit gebrochener Rotationssymmetrie zugrunde liegen. Dabei sollen vor allem die Grundzustandseigenschaften von gekoppelten Quantenpunkten (Quantenpunktmoleküle) und von axialsymmetrischen Quantenpunkten mit nicht-zentralen Störstellen im Vordergrund stehen, um der Relevanz zunehmend komplizierterer Nanostrukturen Rechnung zu tragen bzw. den Einfluß von Verunreinigungen in der Nähe von Quantenpunkten zu untersuchen. Die Einführung eines Deformationsparameters ins externe Potential ermöglicht, ausgehend vom Modell eines axialsymmetrischen parabolischen lateralen Confinements, eine kontinuierliche Verformung des Potentials in die entsprechende symmetriegebrochene Struktur. Als Hauptinstrument zur Untersuchung von Grundzustandsenergien und -dichten sowie spinabhängigen Effekten (z.B. Hundsche Regel) als Funktion des Deformationsparameters dient die Spin-Dichtefunktional-Theorie (SDFT), die aber im Spezialfall um analytische und störungstheoretische Methoden ergänzt wird.