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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.27: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Lateraler Transport durch InAs-Quantenpunkte in Focused-Ion-Beam-strukturierten Heterostrukturen — •P. Schafmeister¹, D. Reuter¹, M. Versen², K. H. Schmidt², U. Kunze² und A. D. Wieck¹ — ¹Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum

Selbstorganisierte InAs Quantenpunkte wurden in eine modulationsdotierte Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostruktur 15 nm über dem zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) eingebettet. Durch Implantation fokussierter Ga-Ionen läßt sich das 2DEG lateral strukturieren. Auf diese Weise wurde ein stromführender Kanal von unter 1µm Kanalbreite realisiert. Die Oberfläche wurde mit einem Au-Gate bedampft, um die Lage der Fermienergie im 2DEG über die Gatespannung zu steuern. An dieser und einer Referenzstruktur mit unstrukturiertem 2DEG sind Transportuntersuchungen vorgenommen worden. Die implantierte Probe zeigt im Gegensatz zur Referenzprobe Maxima im Leitwert als Funktion der Spannung am Oberflächengate. Diese Maxima werden vermutlich durch laterale Tunnelprozesse durch die Quantenpunkte im Kanalbereich hervorgerufen.