Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.28: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Phonon assistierte Erzeugung von Exzitonen und Biexzitonen in einem InGaAs/GaAs Quantenpunkt — •Frank Findeis, Artur Zrenner, Gerhard Böhm und Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Quantenpunkte, hergestellt im Stranski-Krastanov Wachstumsmodus, unterliegen Größen- und Formfluktuationen die zu einer inhomogenen

Linienverbreiterung führen. Ein geeigneter Wachstumsmodus für niedrige Flächendichten und die Herstellung von Nahfeld-Schattenmasken erlaubt die Isolierung eines einzelnen Quantenpunktes

für magnetooptische Experimente. Unter solchen Bedingungen liefern

Quantenpunkte atomartige Emissions- und Absorptionsspektren. Im Gegensatz zu freien Atomen beobachtet man jedoch bei Quantenpunkten

zusätzlich Wechselwirkungen mit dem Gitter in Form von Phonon-assistierten Prozessen. Phonon-assistierte Absorption einzelner

Quantenpunkte wurde mittels Vielkanal-PLE nachgewiesen. Dabei beobachtet man die resonante Besetzung von Exziton- und

Biexzitonzuständen. Die magnetfeldabhängige Verstimmung der

Resonanzbedingung führt zu einer zweifachen, diagonalen Zeeman

Aufspaltung der Exzitonen und einer vierfachen, symmetrischen Aufspaltung der Biexzitonen. Dies kann mit Hilfe eines Models für sequentielle Phonon-assistierte Biexziton Erzeugung und dem nachfolgendem sequentiellen Zerfall des Biexzitons erklärt werden.