Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.29: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:00–19:00, A

Photolumineszenzuntersuchung von selbstorganisierten InAs-Quantenpunkten in AlAs — •Klaus Pierz — Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig

Selbstorganisierte Indiumarsenid-Quantenpunkte wurden, eingebettet in eine Aluminiumarsenid-Matrix, mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsen. Bei Anregung über die direkte Bandkante des AlAs (E=3,1eV) wird bei tiefen Temperaturen eine Photolumineszenzbande mit einem Maximum bei E=1,6eV beobachtet, die wir den Grundzuständen der Quantenpunkte zuordnen. Die gegenüber InAs-Quantenpunkten auf GaAs um fast 0,5eV höhere PL-Energie ist darauf zurückzuführen, dass die Quantenpunkte auf AlAs kleiner sind. Bei stärkeren Anregungsintensitäten treten weitere, höherenergetischere Peaks auf. Durch resonante Anregung dieser Zustände können wir zeigen, dass es sich dabei um Lumineszenz angeregter Zustände handelt. Aus den Messungen ergibt sich ein einfaches Energieschema für InAs-Quantenpunkte in AlAs, das zum Verständnis der Eigenschaften von Einzelelektronen-Tunneldioden mit solchen Quantenpunkten beitragen soll.