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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation

HL 12.31: Poster

Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A

Einflus von Hintergrundladungen auf die Coulomb-Blockade in Quantenpunkten — •Michael Skender¹, Freek E. Prins¹, Rainer Straub², Stefan Keil², Ralf Augke¹, Christof Single¹, David A. Wharam¹ und Dieter P. Kern¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Tübingen,D-72076 Tübingen, Germany — ²Lehrstuhl Experimentalphysik II, Universität Tübingen, D-72076 Tübingen, Germany

Einzelelektronen-Transistoren (SET) werden auf ihre

Einsatzmöglichkeiten in Speicher und Logikschaltungen

untersucht. Hierbei stellt sich immer wieder die Frage nach

der Empfindlichkeit dieser Strukturen bezüglich

Hintergrundladungen.

Der Ursprung der Hintergrundladungen ist ein Einfangen

von einzelnen Elektronen im Substrat in der Nähe des

Quantenpunktes.

Es werden SET Strukturen auf silicon on insulator (SOI) Basis

hergestellt und der Effekt von Ladungen, die in die Umgebung

eines Quantenpunktes gebracht werden erforscht. Dies geschieht

mit Hilfe eines Tieftemperatur-Rasterelektronenmikroskopes,

wobei ein SET bei flüssig Heliumtemperatur mit

niederenergetischen Elektronen bestrahlt wird.