Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.32: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Temperaturbedingte Veränderung der PL-Linienbreite von einzelnen InP/ (GaIn)P Quantenpunkten — •P. G. Blome1, M. Wenderoth1, R. G. Ulbrich1, F. Scholz2 und J. Porsche2 — 1IV. Phys. Inst. Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 24. Phys. Inst. Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart
Beim Aufwachsen von InP auf GaInP mittels MOVPE kommt es aufgrund der hohen Verspannung zum Stranski-Krastanov (SK) Wachstum. Dabei entstehen einige nm große Quantenpunkte (QP) und der sog. Wettinglayer (WL). Mit einem hochauflösenden konfokalen Mikroskop mit einer Auflösung von ca. 500 nm) haben wir die Photolumineszenz (PL) sowohl der SK-Quantenpunkte als auch des WL unter Variation von Temperatur (0–60 K) und Anregungsleistung (0,84–84 Wcm−2) untersucht.
PL-Spektren von individuell abgebildeten QP zeigen bei tiefen Temperaturen (≤ 40 K) eine breite Bande (≈ 5 meV) die bei Erhöhen der Temperatur in eine schmale Linie (≤ 0,2 meV) übergeht. Durch Erhöhen der Anregungsleistung kann das spektral breite Erscheinungsbild zurückgewonnen werden. Die Beobachtungen können im Rahmen eines Modells verstanden werden, bei dem fluktuierende Ladungsträgerkonfigurationen, die den QP umgeben, zu einer spektralen Diffusion führen. Es zeigt sich, daß die Position des elektrochemischen Potentials für die Besetzung der Lokalisierungen im WL und somit für die Ladungsträgerkonfigurationen den entscheidenden Einfluss hat.
Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gefördert.